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上海隱冠半導體技術有限公司

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產品中心詳情頁2
單片型多層共燒壓電致動器
PANL 系列微步電機模組
PANL 系列微步電機模組
PANL 系列微步電機模組
主要特點

  • 納米級步進精度
  • 重復精度高
  • 微秒級響應
  • 理論無限行程
  • 斷電自鎖

規(guī)格書下載
主要應用
  • 半導體設備
  • 精密光學調節(jié)設備
  • 精密運動控制
  • 科學研究
  • 工業(yè)自動化
  • 精密檢測設備
性能簡介

微步電機陶瓷模組由多層壓電陶瓷層(通過機械方式串聯(lián))以交錯電極(電極間相互平行)的方式組成,其中包括了一定數(shù)量的壓電陶瓷厚度片與壓電陶瓷剪切片,能夠在兩軸輸出位移。其通過厚度片抬高、剪切片前進,類似尺蠖昆蟲的爬行方式來實現(xiàn)長行程。

機械尺寸圖

 

技術參數(shù)
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參數(shù)

PANL-R001-14-16H4Q

PANL-S06-22-5H7Q

PANL-S06-22-7H5Q

PANL-S06-22-12Q

運動軸

Z/X

Z/X

Z/X

Z/X

元件高度一致性

≤0.03mm

≤0.03mm

≤0.03mm

≤0.03mm

元件上頂面共面平面度

≤5μm

≤5μm

≤5μm

≤5μm

元件下底面平面度

≤5μm

≤5μm

≤5μm

≤5μm

元件上頂面與下底面平行度

≤10μm

≤10μm

≤10μm

≤10μm

剪切壓電陶瓷驅動電壓

-250V - 250V

-250V~+250V

-250V~+250V

-250V~+250V

縱向壓電陶瓷驅動電壓

-250V - 250V

-250V~+250V

-250V~+250V

/

剪切壓電陶瓷位移(Y 向位移)

≥±2μm@±250V

≥±7μm@±250V

≥±5μm@±250V

≥±12μm@±250V

縱向壓電陶瓷位移(Z 向位移)

≥3μm@500Vp-p(±250V)

≥0.9μm@500Vp-p(±250V)

≥1.5μm@500Vp-p(±250V)

/

剪切壓電陶瓷最大輸出力

≥±100N@±250V

≥±50N@±250V

≥±50N@±250V

≥±50N@±250V

縱向壓電陶瓷最大輸出力

≥2000N@+250V

≥700N@+250V

≥1000N@+250V

/

單個壓電陶瓷腿縱向機械剛度

≥500N/μm

≥250N/μm

≥250N/μm

≥250N/μm

剪切壓電陶瓷電容

≤40nF±15%@1Vp-p&1kHz
≤45nF±15%@1Vp-p&1kHz

≤30nF±15%@1Vp-p&1kHz

≤90nF±15%@1Vp-p&1kHz

 

縱向壓電陶瓷電容

≤150nF±15%@1Vp-p&1kHz

≤40nF±15%@1Vp-p&1kHz

≤60nF±15%@1Vp-p&1kHz

/

剪切壓電陶瓷遲滯非線性 @500Vp-p

≤40%

≤40%

≤40%

≤40%

工作溫度

-25°C - 130°C

-25°C - 130°C

-25°C - 130°C

-25°C - 130°C

居里溫度

280°C

280°C

280°C

280°C

外形尺寸 L

33mm±0.1mm

13mm±0.1mm

13mm±0.1mm

13mm±0.1mm

外形尺寸 W

10mm±0.1mm

13mm±0.1mm

13mm±0.1mm

13mm±0.1mm

外形尺寸 H

15mm±0.005mm

8.7mm±0.005mm

8.7mm±0.005mm

8.7mm±0.005mm

*位移測試:驅動電壓 -250~250V、公差 ±15%;
** 外形尺寸:標注尺寸為單側陶瓷模組尺寸,不包括線路板;
*** 電容測試條件:常溫環(huán)境,1Vpp,1kHz,公差 ±15%。

型號解讀
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定制信息

驅動電壓:常見最大驅動電壓可選范圍 50 - 250V,特殊電壓可按需定制。

位移定制:輸出位移取決于器件尺寸,提供多種剪切和厚度位移組合,位移行程可選。

工作頻率:可按需設計,單片致動器最高驅動頻率可達 50kHz。

外形定制:模組長、寬、高可按需定制。

連接方式:滿足 AWG 標準下,可選配線束或柔性線路板,線束長度、朝向及線路板設計可定制。

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