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在半導體制造業(yè)中，薄膜的厚度對器件的性能和質(zhì)量有重要影響。薄膜的厚度決定了許多重要的物理和化學性質(zhì)，對其折射、反射和透射的光學性質(zhì)有直接影響，可以導致顯著的量子尺寸效應，從而改變材料的電子、光學和磁性等。準確測量和控制薄膜厚度對于優(yōu)化器件性能、提高生產(chǎn)效率、確保器件可靠性等都具有重要的作用。

膜厚測量可以根據(jù)薄膜材料劃分為兩個基本類型，即不透明薄膜（金屬類）和透明薄膜。測量不透明薄膜厚度的方法通常是通過測量方塊電阻，通過其電阻與橫截面積得到其膜厚，采用的設備一般為四探針臺，將四根探針等距離放置，通過對最外兩根探針施加電流，從而測量其電勢差計算被測薄膜的方塊電阻。而透明薄膜則通?；跈E圓偏振技術，對光譜范圍內(nèi)的偏振變化進行分析，各種薄膜層提供高精度薄膜測量。由于膜應力、折射率等物理性質(zhì)同樣需要橢圓偏振及干涉技術進行測量，因此目前主流的膜厚測量設備同時集成了應力測量、折射率測量等功能。

圖1. 橢圓偏振測量原理示意圖（圖片來源自網(wǎng)絡）

針對晶圓膜厚測量設備，隱冠半導體可以提供尺寸極為緊湊的運動平臺解決方案，靈活且有效支撐客戶的集成式或者獨立式膜厚測量解決方案。該運動平臺采用創(chuàng)新性的雙軸耦合設計理念和獨特的大行程磁浮重力補償技術，降低了垂向電機的載荷，很大程度提高了垂向運動性能和壽命。此外，我們還提供配套的驅(qū)控系統(tǒng)和減振系統(tǒng)，實現(xiàn)高吞吐量的量測能力。隱冠半導體擁有覆蓋全國主要城市的售后團隊，為您提供全方位的技術支持。