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先進(jìn)封裝晶圓劃片機(jī)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體后道封測(cè)中晶圓切割和WLP切割環(huán)節(jié)的關(guān)鍵設(shè)備。在一個(gè)晶圓上，通常有幾百個(gè)至數(shù)千個(gè)芯片連在一起。它們之間留有80μm至150μm的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)（Saw Street）。將每一個(gè)具有獨(dú)立電氣性能的芯片分離出來(lái)的過(guò)程叫做劃片或切割（Dicing Saw）。半導(dǎo)體晶圓劃片機(jī)是將含有很多芯片的晶圓分割成晶片顆粒，為下道粘片工序做好準(zhǔn)備，其切割的質(zhì)量與效率直接影響到芯片的質(zhì)量和生產(chǎn)成本。

先進(jìn)封裝劃片機(jī) 晶圓切割機(jī) 激光劃片

先進(jìn)封裝混合鍵合機(jī)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

1、混合鍵合是高集成堆疊最終方案混合鍵合是實(shí)現(xiàn)高密度堆疊的核心路徑。隨著高性能運(yùn)算帶動(dòng)的多顆芯片垂直互聯(lián)要求提升，傳統(tǒng)的微凸點(diǎn)技術(shù)面臨焊料電遷移、熱遷移、橋連短路等可靠性加劇的問(wèn)題，不再滿足堆疊尺寸極小、I/O密度要求極高的堆疊需求，混合鍵合（或稱Cu-Cu直接鍵合）工藝應(yīng)運(yùn)而生。倒裝鍵合工藝pitch尺寸在50~100μm、熱壓鍵合工藝可將pitch size縮小到20μm，而要進(jìn)一步縮小尺寸，則必須求助于混合鍵合...

先進(jìn)封裝混合鍵合 W2W D2W

先進(jìn)封裝晶圓減薄機(jī)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

2024年上半年，全球半導(dǎo)體呈現(xiàn)回暖態(tài)勢(shì)，隨著AI和HPC的快速發(fā)展，對(duì)芯片性能和功耗的要求不斷提高，Chiplet和2.5D/3D推動(dòng)HBM等先進(jìn)技術(shù)成為主要方向，減薄設(shè)備是芯片堆疊技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)的關(guān)鍵核心設(shè)備，未來(lái)應(yīng)用廣泛。

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝減薄機(jī) 高精密運(yùn)動(dòng)臺(tái)

先進(jìn)封裝晶圓固晶機(jī)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

先進(jìn)封裝是對(duì)應(yīng)于先進(jìn)圓晶制程而衍生出來(lái)的概念，一般指將不同系統(tǒng)集成到同一封裝內(nèi)以實(shí)現(xiàn)更高效系統(tǒng)效率的封裝技術(shù)。換言之，只要該封裝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)芯片整體性能（包括傳輸速度、運(yùn)算速度等）的提升，就可以視為是先進(jìn)封裝。與之對(duì)應(yīng)的傳統(tǒng)封裝則是將各個(gè)芯片單獨(dú)封裝好，再將這些單獨(dú)的封裝芯片裝配到PCB主板上構(gòu)成完整的系統(tǒng)，通過(guò)PCB板形成電信號(hào)之間的互連。

高加速先進(jìn)封裝鍵合固晶機(jī)

膜厚測(cè)量 (Thickness) 運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

在半導(dǎo)體制造業(yè)中，薄膜的厚度對(duì)器件的性能和質(zhì)量有重要影響。薄膜的厚度決定了許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，對(duì)其折射、反射和透射的光學(xué)性質(zhì)有直接影響，可以導(dǎo)致顯著的量子尺寸效應(yīng)，從而改變材料的電子、光學(xué)和磁性等。準(zhǔn)確測(cè)量和控制薄膜厚度對(duì)于優(yōu)化器件性能、提高生產(chǎn)效率、確保器件可靠性等都具有重要的作用。

芯片制造封裝設(shè)備量檢測(cè)

套刻精度（Overlay）檢測(cè)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

套刻誤差的定義是兩層圖形結(jié)構(gòu)中心之間的平面距離。隨著集成電路的層數(shù)不斷增多，多重圖形和多重曝光的光刻工藝被廣泛應(yīng)用，不同步驟形成的電路圖形之間的套刻精度愈發(fā)重要。套刻誤差過(guò)大形成的錯(cuò)位，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)電路失效報(bào)廢。套刻誤差測(cè)量設(shè)備，用于確保不同層級(jí)電路圖形，和同一層電路圖形的正確對(duì)齊和放置。套刻誤差測(cè)量通常在每道光刻步驟后進(jìn)行。